近期,Magnachip Semiconductor 发布了采用 180nm 微加工技术增强的第六代 600V 超级结 MOSFET,实现175mΩ的低RDS(on),满足服务器和OLED电视的技术要求。

据称,该技术对上一代 SJ MOSFET 进行了改进,将单元间距缩小了 50%,并将 RDS(on) 降低了 42%。因此,该产品采用相同的十瓦封装 (DPAK),同时提供 175mΩ 的低 RDS(on) 和更高的功率密度。
与上一代产品相比,总栅极电荷降低了约 29%,从而降低了开关损耗并提高了功率效率。此外,在栅极和源极之间嵌入了齐纳二极管,以增强 MOSFET 在应用中的耐用性和可靠性,并防止其受到外部浪涌或静电放电造成的损坏。
Magnachip表示,新型600V SJ MOSFET可用于广泛的应用,例如服务器、OLED电视和笔记本电脑快速充电器。
据了解该公司计划在2024年推出更多的第六代SJ MOSFET,包括那些带有快速恢复二极管的型号。
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